چکیده

در این مقاله، روشی برای بهبود کارکرد ورودی مدار تقویت کننده ی کم نویز CMOS ارایه شده، که این امر منجر به کارکرد بهتر این مدار از لحاظ عدد نویز، افزایش بهره و نیز کاهش توان مصرفی به ازای تغذیه ی پایین شده است. در ساختار پیشنهادی، از ترکیب دو روش دژنراسیون القایی منبع (SID)و سری L (SL) برای ورودی تقویت کننده ی کم نویز استفاده شده تا بهترین تطبیق امپدانس در ورودی مدار صورت گیرد. همان گونه که در ادامه نشان داده شده است، این روش در مقایسه با تکنیک افزایش سلف در سورس ترانزیستور، به علت تطبیق امپدانس، کاراتر و کاربردی تر خواهد بود. نتایج شبیه سازی نشان داده که بهره ی تبدیل این مدار 19.22 دسی بل، عدد نویز 1.76 دسی بل و تلفات برگشتی ورودی 11S آن برابر با 25.58 - دسی بل است. معماری این مدار بر اساس ولتاژ تغذیه ی 1.5 ولت انجام گرفته است تا توان مصرفی این مدار به 9 میلی وات کاهش یابد.

کليدواژه ها

تطبیق امپدانس، تقویت کننده ی کم نویز، توان مصرفی، عدد نویز.

کد مقاله / لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله، می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است :

نحوه استناد به مقاله

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
سید حسین علوی راد , 1400 , طراحی یک تقویت کننده ی کم نویز در باند 2.4 گیگا هرتز با استفاده از بهبود ساختار در تطبیق امپدانس ورودی , دومین کنفرانس پژوهش های کاربردی در مهندسی برق