چکیده

در این مقاله مشخصه های الکتریکی ترانزیستور تونلی بدون پیوند InAs GaAs0.1Sb0.9 با آلایش الکتریکی از نوع n در ابعاد نانو مورد مطالعه و شبیه سازی قرار گرفته است. اثر برخی از پارامترهای مختلف ساختاری بر مشخصه های الکتریکی افزاره به منظور طراحی یک ترانزیستور تونلی بدون پیوند با آلایش الکتریکی با سرعت کلید زنی بالا، جریان حالت روشن بالا و سوئینگ زیر آستانه کم تبیین شده است. این افزاره دارای فرآیند ساخت ساده تری نسبت به ترانزیستور های تونلی متداول است و آلایش ناحیه سورس نه به صورت فیزیکی و تنها با اعمال میدان الکتریکی ایجاد میشود. تابع کار گیت و ولتاژ گیت پلاریته بر روی ناحیه سورس از مهمترین پارامترهای ساختاری هستند که لازم است مقدار بهینه ای برای آنها ایجاد شود. مطابق نتایج بدست آمده از شبیه سازی و به ازای تابع کار مناسب eV7 4 برای هر دو گیت کنترل و پلاریته، به بهترین مشخصه خروجی شامل جریان حالت روشن A⁄μm 5-10×4.06، جریان حالت خاموش A⁄μm 11-10×4.23، نسبت جریان حالت روشن به جریان حالت خاموش 5+10×9.6، ولتاژ آستانه V1 0 و سوئینگ زیر آستانه برابر mV⁄dec10 دست یافتیم.

کليدواژه ها

پیوند نامتجانس، ترانزیستور تونلي، تونل زنی نوار به نوار، سوئینگ زیر آستانه

کد مقاله / لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله، می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است :

نحوه استناد به مقاله

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
مهدی محمدخانی غیاثوند , 1400 , بررسی مشخصه های الکتریکی نانو ترانزیستور تونلی بدون پیوند InAs GaAs0.1Sb0.9 کانال n با آلایش الکتریکی , دومین کنفرانس پژوهش های کاربردی در مهندسی برق