

برگزار شده توسط : دانشگاه شهید چمران اهواز
سومین کنفرانس پژوهش های کاربردی در مهندسی برق
تاریخ برگزاری : 19 بهمن ماه 1401
مطالعه عددی تأثیر نور قطبیده بر نانوآرایههای آلومینیومی مکعبی یک بعدی
الهه رشنو , نسرین سپه وند , محسن بهرامی
در این پژوهش تأثیر تغییر ضخامت نانوذرات آلومینیومی مکعبی شکل یک بعدی با آرایشی مستطیلی بر روی سطح دیالکتریک (SiO2) مورد بررسی قرار گرفته است. برای بررسی خواص اپتیکی و توزیع میدان الکتریکی با ضخامتهای مختلف 10، 50، 100 نانومتر در سه مرحله از روش عددی تفاضلات متناهی حوزه زمان (FDTD) استفاده شده است. نتایج شبیهسازی نشان داد که در ضخامتهای 10 و nm100 انعکاس نور از سطح نانوذرات نسبت به ضخامت nm50 به ترتیب کاهش و افزایش مییابد. با توجه به مقدار نور جذب شده مشاهده گردید که تحت اثر رزونانسهای پلاسمونیکی جایگزیده ایجاد شده بین نانوذرات آلومینیومی توزیع میدان الکتریکی در ضخامت nm 50 بیشتر از دو ضخامت دیگر میباشد.
پلاسمونیک، تفاضلات متناهی حوزه زمان، نانوذرات آلومینیومی
برای لینک دهی به این مقاله، می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است :
در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
, 1401 , مطالعه عددی تأثیر نور قطبیده بر نانوآرایههای آلومینیومی مکعبی یک بعدی , سومین کنفرانس پژوهش های کاربردی در مهندسی برق

تاریخ برگزاری : 19 بهمن ماه 1401
تماس با ما
آدرس: اهواز، بلوار گلستان، دانشگاه شهید چمران اهواز
شمارههای تماس:
۳۳۳۳۰۰۱۹-۳۳۳۳۰۰۱۱-۰۶۱
نمابر: ۳۳۳۳۲۰۲۴
اداره روابط عمومی :
شماره تماس : ۳۳۳۳۵۸۶۰ - ۰۶۱
پست الکترونیک : Public@scu.ac.ir
© کلیه حقوق متعلق به دانشگاه شهید چمران اهواز میباشد. (همایش نگار نسخه 11.0.0)